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PSMN4R3-30PL,127  与  IPP080N03L G  区别

型号 PSMN4R3-30PL,127 IPP080N03L G
唯样编号 A-PSMN4R3-30PL,127 A-IPP080N03L G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8mΩ
上升时间 - 3.6ns
栅极电压Vgs 1.7V 20V
封装/外壳 SOT78 PG-TO220-3
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 50A
配置 - Single
输入电容 2400pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 2.8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1900pF @ 15V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 103W 47W
输出电容 500pF -
典型关闭延迟时间 - 18ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
Rds On(max)@Id,Vgs 4.3mΩ@10V,6.2mΩ@4.5V -
典型接通延迟时间 - 4.6ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 18nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥6.8806
50+ :  ¥5.6398
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R3-30PL,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R3-30PL_SOT78 N-Channel 103W 175℃ 1.7V 30V 100A

¥6.8806 

阶梯数 价格
20: ¥6.8806
50: ¥5.6398
0 当前型号
STP90NF03L STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 6,000 对比
IRLB3813PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 1.95mΩ@60A,10V N-Channel 30V 260A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
STP90NF03L STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IRF3709ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.3mΩ@21A,10V N-Channel 30V 87A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IPP080N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) PG-TO220-3 30V 50A 8mΩ 20V 47W N-Channel

暂无价格 0 对比

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